blokovací režim

Výkonové spínací prvky
Výkonová elektronika
Požadavky a parametry
Výkonový MOSFET
Řízení přenosu a přeměny energie při transportu mezi zdrojem a zátěží
IGBT
Cílem je většinou dosažení:
nejvyšší účinnosti
nejvyšší dostupnosti
nejvyšší spolehlivosti
Tyristor
Principy činnosti, struktury, charakteristiky, modely a typické aplikace.
nejnižší ceny
nejnižších rozměrů
nejnižsí váhy
Typické aplikace
Statické
DC výkonové zdroje
Uninterruptible Power Supply (UPS)
Výroba a přenos energie (HVDC)
Sváření, Ohřev, Chlazení, apod.
Řízení pohonů
elektrické vlaky
elektromobily, klimatizace, pumpy, kompresory..
Příklad
Pokud požadujeme ovládání výstupního ss. napětí,
je nutné užít jiný (řízený) prvek (tyristor) a složitější zapojení
Us (V)
US
Usměrnění síťového napětí
220V/50 Hz (Um= 311V)
+
čas
Jednopulzní usměrňovač využívající
polovodičovou diodu (neřízený prvek)
+
US
Uo
_
_
IA
+
Uo
_
_
Střední hodnota výstupního napětí je
proměnná (závisí na úhlu α)
Střední hodnota výstupního napětí je fixní
Uo =
ωt
IG
π
Uo
Uo =
Um
π
Uo
IG
+
US
ωt
Udc
čas
U
1
U m sin(ωt )dωt = m [1 + cos α ]
2π α∫
2π
α
ωt
Výkonové polovodičové součástky
ON
• funkce výkonového spínače
• pracují ve dvou stavech:
Usw=0
+
ON-state
vodivý stav/plně sepnuto
Výkonové diody
I
Uin
_
+
Uo
_
Fototyristor (tyristor řízený světlem)
OFF-state
blokovací stav/zela vypnuto
OFF I=0
Nikdy (!!) nepracují v lineární
oblasti.
Usw=Uin
+
Uin
_
IGBT moduly
(třífázový a H-můstek)
+
Uo
_
Rozdělení
• neřízené : dioda
IGCT (Insulated-Gate Commutated Thyristor)
s integrovaným budičem
• částečně řízené : tyristor (SCR)
• plně řízené : výkonový BJT, MOSFET, IGBT, GTO, IGCT
SOA
Výkonové ztráty
Safe Operating Area – Oblast bezpečné činnosti
Pmax
Statické ON-state: propustný úbytek (1-3V@10-1000A)
OFF-state: závěrný proud (<10mA@1-10kV)
Dynamické spojené s přechodem OFF-ON-OFF (rostou s frekvencí)
Komutace
i
u
P=u.i
i
Energie
čas
čas
statické ztráty
u
IDmax
při návrhu volíme
nejlepší kompromis
reálný spínač
ideální spínač
limituje RDSon
2. půraz u BJT
dynamické ztráty
UDSmax
Výkonové součástky
řízený výkon 1W=1VA
1GW
100MW
Tyristor
10MW
GTO/IGCT
1MW
IGBT
100kW
10kW
MOSFET
1kW
100W
10Hz
1kHz 100kHz 1MHz 10MHz
frekvence
VÝKONOVÝ MOSFET (diskrétní)
Vysokého průrazného napětí UBRDSS (až 800V) se dosáhne umístěním
drainu na opačnou stranu Si destičky.
a) DMOS
SiO2
Source
D
jáma P
Source
Gate
N+
N+
jáma P
G
N
S
SUBSTRÁT N+
Drain
14
VÝKONOVÝ MOSFET (diskrétní)
VÝKONOVÝ MOSFET (diskrétní)
Vysoké mezní hodnoty IDMAX (až 25 A) při zachování malé hodnoty
RDSON se dosáhne paralelním spojením 104 až 106 buněk .
Vysoké mezní hodnoty IDMAX (až 25 A) při zachování malé hodnoty
RDSON se dosáhne paralelním spojením 104 až 106 buněk .
Důsledek: vysoká vstupní kapacita – jednotky nF !!!
DMOS musíme spínat z tvrdého zdroje napětí nebo proudu.
15
16
VÝKONOVÝ MOSFET (diskrétní)
VÝKONOVÝ MOSFET (diskrétní)
SiO2
S
P
OPN
N+
COPN
+UCC
+UDD
+UDD
Cox
N+
N+
P
N
N
D
+UDD
CGD
RD
OPN
Důsledek: vysoká vstupní kapacita – jednotky nF !!!
DMOS musíme spínat z tvrdého zdroje napětí nebo proudu.
+UDD
P
P
+10V
SiO2
S
Cox
N+
G
b) UGS ≥ UT
G
a) UGS = 0V
+UDD
D
+UDD
zátěž
zátěž
CGD se při spínání projevuje jako Millerova kapacita (SE).
N
P
N
b)
a)
17
VÝKONOVÝ MOSFET
Parazitní kapacita CGD se při indukci kanálu zvětší o řád !!!
⇒ velká časová prodleva při spínání daná nabíjením CGD
DMOS musíme spínat z tvrdého zdroje napětí nebo zdroje proudu.
18
Vypínání induktivní zátěže
vznik napěťových špiček
Double Diffused MOS =DMOS
Dvojitá difúze umožní vytvořit jámu P, ve které se
indukuje kanál ⇒ existence body diode.
SiO2
Source
D
jáma P
N+
N+
i(t)
Source
Gate
napěťový překmit
us(t)
jáma P
uD
iON
Δi
uON
N
Δt
S
+
+ uL(t) -
UD
t
ts
G
i(t)
-
t=ts
+
us(t)
-
Δi ⎞
⎛
lim us ≅ lim ⎜ U D − L ⎟ = ∞
Δt →0
Δt →0
Δt ⎠
⎝
SUBSTRÁT N+
Drain
Body dioda se musí při vypínání zotavit ⇒ nastavení dead time u budičů.
19
závisí na hodnotě indukčnosti a di/dt (může být až v řádu 1kA/μs) => nutnost ochrany
VÝKONOVÝ MOSFET Aplikace
VÝKONOVÝ MOSFET
Vypínání induktivní zátěže – ochrana proti překmitu napětí
Ochrana pomocí
Free Wheeling Diode
Dioda omezuje napětí
indukované při přepnutí
Ochrana pomocí
RC článku
RCD ochrana
(Snubber)
RC článek omezuje rychlost Kapacitor omezuje rychlost
nárůstu napětí
nárůstu napětí (nabíjení přes D,
vybíjení přes R)
MOSFET
vypíná
MOSFET
vypíná
MOSFET
vypíná
spíná
spíná
spíná
21
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
zabudování PNP tranzistoru, který je řízen MOSFETEM
MOSFET
22
IGBT
Tyristor
IGBT výstupní charakteristika
1956: Bell Labs – Silicon Controlled Rectifier (SCR)
1958: General Electric – Thyristor
proud kolektorem
IGBT
MOSFET
propustný úbytek
Tyristor
Tyristor
Anoda
Anoda
P
A
P+
J1
P
Anodový přechod
= Závěrný přechod
A
P+ P+ emitor
J1
A
N
C
A
C
G
P
Gate (řídicí elektroda)G
báze N
N
J2
Blokovací přechod
J3
N+ Katodový přechod
C Katoda
G
P
Gate (řídicí elektroda)G
J2
J3
báze P
N+ N+ emitor
C Katoda
Tyristor
N+
P+
Tyristorový jev
(latch-up) dvoutranzistorový model
J3
K
G
G
N++
C
P++
A
Koncentrace příměsí
P+
P
N
x
Tyristor – režimy činnosti
Tyristorový jev v integrovaných obvodech CMOS
80
IA (A)
60
Sepnutý
stavstav
Sepnutý
40
IG = 0
20
URRM
0
0
Parazitní tyristor může sepnout VDD s GND pokud se například napětí
na výstupuu (out) dostane na hodnotu o 0.7 nižší než je GND.
(μA)
-20
-40
IA
DOTAČNÍ PROFIL
G
P
N
J2
J1
P
A
C
A
-60
I G = 1μ A
10mA
0
Blokovací
režim
Blokovací režim
500
UAK
1000
(V)
Závěrný směr
-80
-100
-2000
-1500
-1000
UAK (V)
-500
0
b)
1500
UBO
Tyristor – závěrný směr
Tyristor – závěrný směr
URRM
URRM
0
-40
-60
-80
-100
-2000
-1500
-1000
(μ ) UAK (V)
6
-500
0
R
+
-
0
-
-2
WC
+
WV
-4
0
20
40
60
x
260
(μm)
280
Tyristor – spínání
Tyristor je čistě spínací součástka!
Buď je sepnuto, nebo rozepnuto.
Pracovní bod v sepnutém stavu nelze ovládat.
Způsoby sepnutí:
300
U
K
b) závěrný směr
R1
-500
2
-
0
+
-2
Překročením blokovacího napětí UBO
Překročením hodnoty dUac/dt nebo dIa/dt
WC
WV
-4
-6
0
20
40
60
x
260
(μm)
280
300
Tyristor – spínání
Výjimečnost tyristoru:
Po sepnutí zůstává v sepnutém stavu i po odeznění
spínacího impulsu ( pokud anodový obvod dovolí protékání proudu).
To tranzistory neumí
neumí!
Proudovým impulsem (IG)
Impulsem optického záření (světla)
0
+
4 +
W
(eV)
W
2
-1500
-1000
(μ ) UAK (V)
6
A
4 +
-6
-100
-2000
(eV)
A
K
(μA)
(μA)
-60
-20
-80
R
b) závěrný směr
R1
-40
IA
⇒ protéká závěrný proud → 0 @ 20oC
až do průrazného napětí URRM
U
V závěrném směru se k tyristoru chováme
jako k diodě:
Mezní parametr:
URRM
max. špičkové závěrné opakovatelné napětí
-20
IA
Anodový (závěrný) přechod J1 polarizován
v závěrném směru ⇒ bariéra pro el. a díry
0
V sepnutém stavu vykazuje nejnižší odpor ze všech
existujících spínacích polovodičových součástek!
Tyristor má
má nejvě
největší proudovou zatí
zatížitelnost.
Tyristor – blokovací režim
UA = UBO: Nárazová ionizace na přechodu J2 generuje elektrony a díry.
60
Elektrony přitahovány na anodu, díry na katodu.
40
Elektrony u anody poruší svým záporným nábojem neutralitu prostorového náboje
20
⇒ injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem)
Blokovací režim
-
(eV)
R2
WC
+
-2
WV
20
40
60
x
260
(μm)
UUa <=UU
BO
a
0
K
280
300
BO
Díry poruší neutralitu prostorového náboje u katody
⇒ injekce elektronů z katody (kompenzace záporným nábojem)
0
A +
UUa <=UU
BO
a
BO
c) blokovací režim
R1
(eV)
R2
-
40
60
x
260
(μm)
280
300
+
+
0
20
-
40
60
x
260
(μm)
WC
0
+
-2
+
0
20
40
0
+ WV
K
UUa <=UU
BO
a
+
280
300
BO
c) blokovací režim
R1
40
60
x
260
(μm)
+ WV
+
280
300
60
x
260
(μm)
280
300
-
OPN
4
R2
-
20
+
6
A +
WC
-
-
2
-6
R1
-
0
-4
300
OPN
-4
-
-2
280
zaplavení tyristoru elektrony a děrami ⇒ sepnutí tyristoru
2
-6
-
260
(μm)
Injekce elektronů z katody a děr z anody se vzájemně stimuluje
⇒ uzavření kladné (regenerativní) zpětné vazby
⇒ zaplavení blokovacího přechodu volnými nositeli náboje
OPN
4
W
K
20
R2
60
x
Tyristor – blokovací režim
Elektrony u anody poruší neutralitu prostorového náboje⇒ injekce děr z anody
+
6
40
4
c) blokovací režim
R1
Tyristor – blokovací režim
20
+
6
A +
0
-6
R1
0
2
-4
c) blokovací režim
R1
R1
UBO
J2
4
W
Ua < UBO
60500 U2601000(V)
280 1500300
x (μm)AK
-
+
6
A +
K
0
20 0 40
(eV)
0
W
R1
(eV)
IA (A)
Blokovací přechod J2 v závěrném směru
⇒ J2 BLOKUJE průchod nositelů náboje
⇒ neteče proud.
80
W
Na anodě plus, na katodě minus, IG=0:
Tyristor – blokovací režim
-
2
WC
0
+
-2
- -
-4
-6
+
0
20
40
60
x
260
(μm)
+ WV
+
280
300
Tyristor – blokovací režim
Injekce elektronů z katody a děr z anody se vzájemně stimuluje
⇒ uzavření kladné zpětné vazby
⇒ zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje ⇒ sepnutí tyristoru
⇒ pokles odporu mezi anodou a katodou na minimum
Tyristor – blokovací napětí
BLOKOVACÍ NAPĚTÍ UBO je anodové napětí UAK při kterém
tyristor přejde z blokovacího do sepnutého stavu při IG = 0.
UBO
= Break-Over voltage
Typické hodnoty UBO jsou stovky až tisíce V.
80
80
Sepnutý stav
60
IA (A)
IA (A)
60
40
IG = 0
20
40
IG = 0
20
Blokovací režim
0
0
500
UAK
1000
(V)
1500
Blokovací režim
0
UBO
Tyristor – blokovací napětí
BLOKOVACÍ NAPĚTÍ UBO je anodové napětí UAK, při kterém
tyristor přejde z blokovacího do sepnutého stavu při IG = 0.
500
UAK
1000
(V)
1500
UBO
Pro IG > 0 sepne tyristor i při nižším napětí než UBO.
80
60
(A)
80
Sepnutý stav
40
IA
60
IA (A)
0
Tyristor – blokovací napětí
Tento způsob sepnutí je nežádoucí (nelze rozumně ovládat).
40
IG = 0
20
IG = 0
IG = 1μA
Blokovací režim
20
Blokovací režim
0
Někdy též nazýváno UDRM
0
500
UAK
1000
(V)
1500
0
UBO
0
500
UAK
1000
(V)
1500
U
BO
Sepnutí tyristoru proudem Ig
Sepnutí tyristoru proudem Ig
Hlavní obvod zajišťuje plus na anodě, minus na katodě.
Přechod J3 polarizujeme do propustného směru proudem Ig
tekoucím z Gate do Katody ⇒ injekce elektronů do báze P.
Přechod J3 polarizujeme do propustného směru proudem Ig
tekoucím z Gate do Katody ⇒ injekce elektronů do báze P.
Řídicí obvod
Ig
d) sepnutý stav
(eV)
R2
W
Ua
-
+
2
-
0
WV
+
-2
WC
Ua
Ia
-6
0
20
40
60
x
260
(μm)
280
300
Díry z anody projdou ke katodě a vyvolají zde injekci elektronů
⇒ uzavření kladné zpětné vazby
⇒ zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje ⇒ sepnutí
sepnutí
R2
Ig
(eV)
K G
d) sepnutý stav
-2
Ug
-6
0
20
-
+
-
2
0
-
+
+
-6
0
+
20
40
60
x
260
(μm)
60
x
260
(μm)
WV
280
300
WC
WV
280
300
0.2V 0.8V
Ua
Ia
d) sepnutý stav
N++
n=p
P+
R2
-4
Ug
40
0.7V
P++
-
+
-2
WC
Rozložení koncentrace n=p je shodné jako u diody PIN
(báze N, báze P a J2 zaplaveny) ⇒ obrovská vodivost
4
W
Ua
+
+
-4
UF je typicky 1.7 V
6
-
0
uzavření kladné zpětné vazby + zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje
= sepnutí tyristoru (latch-up)
Řídicí obvod
A
Ia
Ig
2
Sepnutí tyristoru proudem Ig
Elektrony u anody poruší svým záporným nábojem neutralitu prostorového náboje
⇒ injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem)
Hlavní obvod
R2
d) sepnutý stav
Sepnutí tyristoru proudem Ig
-
+
4
K G
-4
Ug
6
A
4
K G
Řídicí obvod
(eV)
6
A
Ia
Hlavní obvod
W
Hlavní obvod
Elektrony u anody poruší neutralitu prostorového náboje
⇒ injekce děr z anody (kompenzace kladným nábojem)
P
Ig
N
Ug
x
Sepnutí tyristoru proudem Ig
Tento způsob sepnutí je žádoucí (nejdůležitější z možných)
Sepnutí tyristoru proudem Ig
Tyristor zůstává sepnut i po skončení spínacího impulsu do Gate.
Kladná zpětná vazba je trvale udržována anodovým proudem IA.
⇒ vypnutí tyristoru je možné jen odstraněním IA.
80
Tyristor lze spolehlivě sepnout
- malým proudem IG
- ze zdroje napětí nízké hodnoty.
Sepnutý stav
40
IA
(A)
60
IG = 0
20
IG = 1μA
Blokovací režim
0
0
500
P++
R2
Ia
Ua
Ig
d) sepnutý stav
Ia
Ug
1500
U
BO
N++
P+
P
Ig
d) sepnutý stav
1000
(V)
n=p
R2
Ua
UAK
N
Ug
x
Pozor! Tyristor zůstane trvale sepnut jen pro IA > IL,
Chceme-li tyristor vypnout, musí IA klesnout pod IH,
který udrží kladnou zpětnou vazbu.
kdy dojde k odstranění kladné zpětné vazby.
IL = přídržný proud = Latching current
IL
je minimální hodnota proudu IA
potřebná k udržení tyristoru v sepnutém stavu.
80
80
60
60
(A)
Sepnutý stav
IG = 0
20
IL
IG = 1μA
Blokovací režim
0
0
500
UAK
1000
(V)
Sepnutý stav
40
IA
40
IA
(A)
je minimální hodnota proudu IA, při níž zůstává tyristor v sepnutém
stavu i po zániku řídicího proudu Ig
bezprostředně po přechodu z blokovacího stavu.
IH = vratný proud = Holding current
1500
U
BO
IG = 0
20
IH 0
IG = 1μA
Blokovací režim
0
500
UAK
1000
(V)
1500
U
BO
Vypnutí tyristoru
Vypnutí tyristoru
Vnějšími prostředky:
1. přirozenou komutací v obvodech střídavého napětí
Vnějšími prostředky:
1. přirozenou komutací v obvodech střídavého napětí
Cyklové řízení výkonu
Ua
Cyklové řízení výkonu
Ua
U
π
π
π
UAC
OFF
π
π
OFF
U
ON
UAC
2π
OFF
ON
π
2π
Ia
π
Ia
π
2π
Ia
Uz
π
2π
Uz
A
Ua
π
ON
2π
ON
OFF
π
2π
α
π
π
2π
ON
OFF
π
2π
π
2π
OFF
α
2π
Phase-angle
C
Vnějšími prostředky
2. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí
R1
a)
Rg
D2
Ia
UAC
G
D1
C
R1: pro Rg=0 chrání přechod G-K (IFAV)
OFF D1: ochrana přechodu G-K (UBR)
D2: aby Rg nemělo vliv na nabíjení C
zápornou půlvlnou
C: tyristor sepne po nabití na
Uc= UD1 + UGK= 0.7 + 0.8 =1.5 V
Rg: nastavuje časovou konstantu Rg·C
2π
2π
Vypnutí tyristoru
zátěž
Ua
Ia
ON
Burst
Fázové řízení výkonu
F
UAC
OFF
UAC
2π
Ia
Burst
π
Uz
2π
ON
2π
Uz
U
ON
Ua
2π
Uz
Fázové řízení výkonu
C
+
UC
komutace = obrácení polarity anodového napětí
(obdoba závěrného zotavení diody)
Vypnutí tyristoru
Vypnutí tyristoru
Vnějšími prostředky
2. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí
Vnějšími prostředky
2. nucenou komutací v obvodech stejnosměrného napětí
a)
Ty1
b)
+
Ia
UAC
-
C
Ty2
USS
+
UC
a)
+
-
C
-
c)
Ty2
USS
+
UC
Ty5
Ty3
-
UAC
zátěž
C
+
Ia
Ty4
Ty1
b)
+
-
Ty4
Ty5
Ty3
-
zátěž
C
c)
ITM
IT (A)
IRM
trr
UT (V)
ITM
IT (A)
IRM
t (μs)
tq
trr
UT (V)
du/dt
UT
t (μs)
tq
UT
du/dt
t (μs)
t (μs)
Vypnutí tyristoru
Volba tyristoru – mezní a char. parametry
Samotným tyristorem
vypínací tyristor GTO (Gate Turn-Off)
Sepnutí kladným proudem IG
Typ tyristoru volíme s pomocí parametrů URRM, UBO, IFAV danými zatížením tyr.
Uz
Vypnutí záporným proudem IG
URRM není podstatné (jen propustný směr)
b)
UBO > 400 V
c)
zátěž
P
N
TE
TO
D
K
A
N+
IGR
sepnutí GTO
GTO
G
A
G
A
TE
A
a)
Uss
IGR
ION
ANODA
UFG
V sepnutém stavu bude:
Uz = Ua – UT = 400 – 1.7 ≈ 400 V
IFAV = Pz / Ua = 1000 / 400 = 2.5 A
RCD ochrana
GATE
P
P+
SON RON
KATODOVÉ
SEGMENTY
vypnutí GTO
SOFF
LOFF
URG
IFAV
Příklad: zvolte tyristor pro Ua = 400V, Pz = 1000W
IFAV = 2.5 A, UBO = 400V, URRM nehraje roli
1 kW
UT
Ua =400V
Volba tyristoru – mezní a char. parametry
Typ tyristoru volíme s pomocí parametrů URRM, UBO, IFAV danými zatížením tyr.
Sepnutí tyristoru impulsem optického záření
Proud IG nahradíme zářením dopadajícím na přechod J3 (G-K)
Uz
IFAV
Příklad: zvolte tyristor pro Uaef = 230V~, Pz = 1000W
URRM > 230·√2 = 325 V
1 kW
UT
Ua =230Vef
UBO > 325 V
Tyristorem teče proud jen jednu půlvlnu sinusového průběhu (:2)
IFAV ≈ IFef = Izef ≈ (Pz / Uaef) / 2 = (1000 / 230) / 2 ≈ 2.2 A
IFAV = 2.2 A, UBO = 325 V, URRM = 325 V
Přechod J3 (gate-katoda) má průrazné napětí do 5V !
⇒ je nutné jej chránit proti průrazu ochrannou diodou!
Light Triggered Thyristor – LTT
250 kV dc LTT - HVDC link
Wg
Absorpce záření na J3 způsobí vznik
fotoproudu, který působí jako IG
záření přivádíme do tyristoru světlovodem
⇒ galvanické oddělení
Light Triggered Thyristor – LTT
pro napětí URRM = 7 – 10 kV
OPTOTRIAC (Dvojitý optotyristor)
Sepnutí tyristoru překročením hodnoty dUac/dt (dIa/dt)
Sepnutí tyristoru překročením hodnoty dUac/dt (dIa/dt)
je nežádoucí způsob sepnutí
Strmý nárůst blokovacího napětí ⇒ rychlé rozšíření OPN
⇒ vznik kapacitního proudu vyklízením volných nosičů z OPN
⇒ uzavření kladné (regenerativní) zpětné vazby
⇒ zaplavení tyristoru volnými nositeli náboje
⇒ SEPNUTÍ TYRISTORU při UAK « UBO
40
260
(μm)
300
-
R1
(eV)
W
0
WC
0
+
-2
-6
WV
Ua < UBO
0
20
40
60
x
260
(μm)
-
40
60
x
260
(μm)
300
Tyristor - shrnutí
Tyristor spínáme
• proudovým impulsem (IG) nebo
• impulsem optického záření (infračervené záření nebo světlo).
Tyristor zůstává sepnutý i po odeznění spínacího impulsu,
protéká-li anodový proud větší než přídržný proud IL.
Tyristor je sepnutý, dokud jím protéká anodový proud
větší než vratný proud IH.
Tyristor vypínáme
• poklesem anodového proudu pod IH (≈ obvody),
• komutací anodového napětí (= obvody),
• záporným impulsem do gate (jen GTO tyristor)
c) blokovací režim
R1
300
-
2
WC
0
+
-2
-6
WV
-
-4
280
280
4
R2
2
20
+
6
+
-4
c) blokovací režim
R1
280
4
R2
-
60
x
OPN
+
6
+
Ua < UBO
20
(eV)
0
U velkoplošných tyristorů může způsobit lokální proudové přetížení!
(tyristor sepne jen u řídicí elektrody a než se anodový proud rozšíří
laterálně po celé ploše, lokální proudové přetížení roztaví křemík)
W
R1
Nekontrolovatelné!
0
20
40
60
x
260
(μm)
280
300